友情提示:如果本网页打开太慢或显示不完整,请尝试鼠标右键“刷新”本网页!阅读过程发现任何错误请告诉我们,谢谢!! 报告错误
小说一起看 返回本书目录 我的书架 我的书签 TXT全本下载 进入书吧 加入书签

重生之电子风云-第506章

按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页,按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页,按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部!
————未阅读完?加入书签已便下次继续阅读!




    这是不可以接受的!

    至少对于我们这些搞技术的人来说是无法接受的!我们决不能被摩尔定律捆住手脚。”

    此言一出,大家都愣住了,心说你胡一亭是牛,这我们承认,可你要挑战摩尔定律,这大话可就说的太离谱了,不提高线宽的前提下,你就是把设计做出花来,晶体管数量也还是那么多,怎么可能提高存储容量呢?

    胡一亭知道大家的困惑,继续道:“其实方法是有的,我今天要介绍的就是我思考出的一种突破闪存容量上限的新技术。”

    胡一亭切换PPT图片,“目前国际上有些专家也对此阐述过一些技术,我总结下来有三种,一种是质子非挥发性存储器;第二种是纳米存储器;第三种是单电子存储器。

    我想说的是,这些都不靠谱,至少三十年内看不到商业应用的前景,因为无论从材料学还是从工程学角度,这些目前都是科幻小说里才能实现的技术,实验室里进行少量晶体管质子存储实验,或者用一两个碳纳米管验证可存储性能,或者用精密仪器实现单电子操纵,这都可以,但一到工程上就行不通了,大面积的工程应用做不出来就等于白说,现在谁都不知道要用怎样的设备和工艺去进行大规模制造,所以我们不要去考虑这些概念。”

    胡一亭继续切换PPT,“目前我们能做的只有继续在Flash…memory技术上进行发展,继续依靠半导体器件的电荷俘获原理,通过改进传统的浮栅结构,发展与普通逻辑工艺相兼容的新技术。

    我个人这次发明的这种新技术,我称之为Multi…Level…Cell,简称MLC,而传统Flash…memory闪存工艺我称之为Single…Level…Cell,简称SLC。

    顾名思义,这两者区别在于传统SLC是单层式存储,而我发明的MLC技术是多层式存储。”

    胡一亭说完,整个会议室骚动起来,大家的兴趣完全被他调动起来。

    赵赫激动道:“胡总,这个多层存储究竟是怎么回事?是不是把两个芯片叠在一起做封装?这要怎么搞?”

    胡一亭笑道:“别急别急,我这就说,但不是你想的那样,pop叠层封装工艺并不能降低闪存成本,两片颗粒叠加封装只能增加单芯片容量而已,价格也只会更加昂贵,和我说的MLC构造是两码事。”

    说着胡一亭切了一张自制的PPT,开始对着自己昨晚鬼画符般做出的简图介绍起MLC构造的特点来。

    “大家看啊,这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜,这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层,其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度,可以捕获电子,达到存储电荷的目的,带电就是1,不带电就是0,这是常识了。

    我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,一种是空穴,我们在对单元进行写入操作时,采用热电子注入法,将热电子注入沟道边缘的氮化硅,这样就完成了写入过程。在作擦除时,利用价带间的空穴,将空穴注入沟道边缘的氮化硅,消除电荷,就完成了擦除。

    接下来我说关键点,大家看图,由于氮化硅的绝缘性,热电子效应产生的电子只能被注入并限制在沟道边缘,这样一来,两侧沟道一旦全部带电就是11,全部不带电就是00,可我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除,就会出现四种情况,一种是01,一种是10,于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下,让现有的Flash…memory容量增加了一倍!”

    胡一亭对着图片解释完之后,会议室里一片哗然,科学家工程师们先是面面相觑,随即手足无措,接着便开始坐立不安,最后全都开始叫好称赞起来,甚至有人开始鼓掌。

    其中赵赫更是欢喜的抓耳挠腮,他已经被胡一亭勾引的失去了理智,急忙道:“胡总你太神了,你这是怎么想出来的!这可是专利啊!是重光的专利啊!我们得赶紧实验!赶紧写论文申请专利!”

    曹玉暖也欢喜的鼓起了掌:“胡一亭你的设想太完美了!我觉得可行!真的可行!这个路子怎么以前就没人想到呢!你真是天才!我就知道你是最棒的!”

    胡一亭看着大家的兴奋劲,心想这哪是我想出来的啊,这是以色列saifun公司搞出来的SONOS…Falsh技术,被英特尔在97年9月正式公布并申请专利,同时应用到他们的闪存产品中的设计,自己不过是拾人牙慧罢了。而且今后自己还将拿出另一种多电压控制栅极多层注入电荷技术的MCL产品,彻底统治MLC闪存专利市场,直到把闪存技术推向TLC和3D…NAND制程!

    这时奚龙山突然开口问道:“胡总,我有个问题,你这么一搞,的确让一个存储单位可以承载四个信息,比以前翻了一倍,可接下来怎么读取呢?”

    胡一亭笑了起来:“这四种情况的电压是不同的呀,我们只要设计出一套解码电路,用于读取并解析数据就行,根据我的初步设计,可以把0。5V…2。5V设定为11,2。5V…4V设定为10,4V…5。5V设定为01,5。5V到6V设定为00,具体的解码电路设计我已经有了腹稿,这款芯片的初步设计我已经胸有成竹,上周我已经把SLC芯片设计改良完成,本周我就把这款MLC的芯片设计拿出来,下周就能进行制程工艺流程的设计,最晚月底,我们就对这款MLC进行第一次工程流片!”

    说完胡一亭意气风发,高高举起右手指着天花板:“我告诉大家!重光将成为世界上第一家采用MLC技术的闪存设计企业!重光的专利将永载史册!而这项专利必将让我们得以摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存专利束缚,抵消我们需缴纳给国际闪存技术联盟的专利费!并很有可能反过来赚他们的钱!”

    奚龙山惊讶的合不拢嘴,上唇哆嗦着,轻声感慨道:“胡总……真神人也……”

第521章 四色元宵() 
    湖研院的技术会议在内部引起了轰动,即便放在国际上来说,胡一亭这次发布的技术,和他在会议上对于技术路线的阐述,都可以算得上最顶尖的机密,如果这次会议是面向全国公开性质的,那么毫无疑问,参加这次会议的所有科学家工程师都要感恩戴德,因为这次会议上涉及到的技术根本不可能从西方手中获取。

    湖研院上下全速推动制程改良,胡一亭废寝忘食,用一周时间设计出了采用MLC技术的闪存芯片,制定了详细的工艺流程。

    奚龙山看了胡一亭设计的全工艺流程后,整整发了一个小时的呆,有那么几分钟,他觉得自己白读了一辈子的书,即便再读十个博士也不可能像胡一亭这样凭空设计出整个制程工艺流程来,而且把所有工艺参数都标注的这样精确——曝光时间、离子注入浓度、氧化次数、清洗温度……所有这些需要在实验室里花费大量资金和时间一一验证的工序,在胡一亭手里简直就像信手拈来。

    胡一对此的解释只有“灵感”二字。

    而奚龙山却觉得这种灵感十有八九是正确的,就像胡一亭之前所表现出的一贯正确,对这种灵感,奚龙山感慨不已,觉得哪怕用自己十年寿命去换都值得。

    完成设计之后,胡一亭也觉得疲累极了,万幸他身体只有十八岁,每天起床后都觉得精力更胜昨日。

    下午起床,他在办公室对面卫生间里拿着毛巾擦脸,熬夜后的疲乏烟消云散。曹玉暖早就提出想到市里转悠转悠,去公园逛逛,他之前答应了,今天完成了设计,就履行诺言。

    一月的湖山像个冰窟,寒流沿北方平原席卷而来,日甚一日。前几日下的那场小雪刚被正午阳光晒化了些,就被冻成了冰锥,挂在屋檐下折射着虹光。

    裹着童牧送的棕金色厚棉衣,和身穿蓝色羽绒服的曹玉暖走在街上,胡一亭步伐轻快,口喷白雾,“我们这小城市怎么样?”

    曹玉暖蓝色灯芯绒裤下的双腿纤细修长,她揽着胡一亭胳膊道:“我喜欢这儿,这林荫路真漂亮。”

    “曹玉暖你没发烧吧,冬天树叶都掉光了,哪漂亮了?”

    “也漂亮的,你看天上,树枝把蓝天割成蜡染布一样,这线条多美呀。”

    “你真有艺术细胞,干IC可惜了,应该去当画家。”

    曹玉暖微笑:“可惜街上脏脏的,不然每天早上听着一阵阵的鸽哨,走在这街上,就像走在故乡了。”

    “庐州是省会,我们这怎么能比。”

    在一处拆迁巷口的断壁残垣前,曹玉暖站定,吐着白气道:“胡一亭,
返回目录 上一页 下一页 回到顶部 0 0
未阅读完?加入书签已便下次继续阅读!
温馨提示: 温看小说的同时发表评论,说出自己的看法和其它小伙伴们分享也不错哦!发表书评还可以获得积分和经验奖励,认真写原创书评 被采纳为精评可以获得大量金币、积分和经验奖励哦!